運(yùn)用DemuraRGB補(bǔ)償數(shù)據(jù)

繪制而成的logo效果圖

AMOLED顯示屏在使用過(guò)程中有可能出現(xiàn)亮度不均勻的情況（mura現(xiàn)象），通過(guò)內(nèi)置Demura SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）+內(nèi)置OTP（一次性可編程存儲(chǔ)器）+外置flash閃存的架構(gòu)設(shè)計(jì)，將Demura補(bǔ)償數(shù)據(jù)由內(nèi)向外傳輸燒錄，以解決AMOLED面板的mura現(xiàn)象。但是這種傳統(tǒng)方案存在數(shù)據(jù)寫入速度慢，產(chǎn)線效率低，生產(chǎn)成本高等劣勢(shì)。

RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲(chǔ)器）通過(guò)技術(shù)升級(jí)，有效的解決了上述問(wèn)題。RRAM替代了芯片內(nèi)部的Demura SRAM和OTP，也無(wú)需再外置閃存，做到了“三位一體”的功能。采用RRAM技術(shù)不但可以將原來(lái)SRAM的面積縮小了40%，有效降低芯片成本，還可提升數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，增加Demura補(bǔ)償精細(xì)度，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)化面板視效，提升模組良率，降低模組成本。

除此之外，該技術(shù)減少了Demura補(bǔ)償算法數(shù)據(jù)在各存儲(chǔ)器之間的傳輸步驟，直接“原地”讀取，省去了Demura數(shù)據(jù)從DDIC搬運(yùn)到flash的時(shí)間，縮短了近50%燒錄（Demura數(shù)據(jù)錄入芯片）時(shí)間，提高了芯片生產(chǎn)的效率。

AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片的系統(tǒng)架構(gòu)對(duì)比圖

結(jié)合RRAM存儲(chǔ)技術(shù)，“集憶智顯”R100相對(duì)于傳統(tǒng)方案做出了全面升級(jí)。芯片支持最高 1320×2900 分辨率的 OLED 面板驅(qū)動(dòng)，集成 LTPO3.0 動(dòng)態(tài)變頻技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 1-144Hz 無(wú)縫幀率切換，在保障流暢視覺(jué)體驗(yàn)的同時(shí)精準(zhǔn)控制功耗。

在顯示畫質(zhì)優(yōu)化方面，R100集成了 Demura 補(bǔ)償、Deburin、R/N等專業(yè)算法，配合 13bit dbv 高精度亮度調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)從細(xì)膩灰階到高亮場(chǎng)景的全維度畫質(zhì)提升。針對(duì)折疊屏設(shè)備的特殊需求，芯片支持級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案，完美適配旗艦手機(jī)及折疊屏機(jī)型的復(fù)雜顯示架構(gòu)，以低功耗高性能的技術(shù)特性，全面滿足高端終端對(duì)顯示驅(qū)動(dòng)的嚴(yán)苛要求。

此次融合RRAM存儲(chǔ)技術(shù)的AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片成功開發(fā)驗(yàn)證，標(biāo)志著集創(chuàng)北方在AMOLED顯示領(lǐng)域取得了進(jìn)一步的突破，這也是產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新與智慧碰撞的結(jié)晶。未來(lái)，相信通過(guò)RRAM存儲(chǔ)技術(shù)與集創(chuàng)北方全顯示控制產(chǎn)品的深度融合，將能在更多顯示領(lǐng)域攻堅(jiān)克難，研發(fā)創(chuàng)造出優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。